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IRFB/S/SL3507PbF
D.U.T
+
Driver Gate Drive
P.W.
Period
D=
P.W.
Period
+
?
-
Circuit Layout Considerations
? Low Stray Inductance
? Ground Plane
? Low Leakage Inductance
Current Transformer
D.U.T. I SD Waveform
V GS =10V *
D.U.T. V DS Waveform
?
?
-
R G
?
?
?
?
- ? +
dv/dt controlled by R G
Driver same type as D.U.T.
I SD controlled by Duty Factor "D"
D.U.T. - Device Under Test
V DD
+
-
Reverse
Recovery
Current
Re-Applied
Voltage
I nductor      Curren        t
Body Diode Forward
Current
di/dt
Diode Recovery
dv/dt
Body Diode Forward Drop
V DD
Ripple  ≤  5%
I SD
* V GS = 5V for Logic Level Devices
Fig 20. Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit for N-Channel
HEXFET ? Power MOSFETs
V (BR)DSS
15V
tp
VDS
L
DRIVER
RG
GS
20V
tp
D.U.T
IAS
0.01 ?
+
-
VDD
A
I AS
Fig 21a. Unclamped Inductive Test Circuit
Fig 21b. Unclamped Inductive Waveforms
V DS
L D
+
V DS
90%
V DD -
V GS
D.U.T
10%
V GS
Pulse Width < 1μs
Duty Factor < 0.1%
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Fig 22a. Switching Time Test Circuit
Fig 22b. Switching Time Waveforms
Id
Vds
Vgs
L
0
DUT
VCC
Vgs(th)
1K
Qgs1 Qgs2
Qgd
Qgodr
Fig 23a. Gate Charge Test Circuit
www.irf.com
Fig 23b. Gate Charge Waveform
7
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